گزارش‌های جدید حاکی از آن است که TSMC به نرخ بازده فوق‌العاده ۶۰ درصدی در فرایند ۲ نانومتری خود دست یافته است. این عملکرد چشمگیر که سامسونگ و اینتل را با اختلاف قابل توجهی پشت سر می‌گذارد، غول تایوانی را در موقعیتی بی‌رقیب برای تأمین تراشه‌های نسل بعدی اپل، انویدیا و AMD قرار می‌دهد.

شرکت TSMC سال‌هاست که با تکیه بر بودجه عظیم تحقیق و توسعه و به‌کارگیری زودهنگام فناوری‌های نوین از جمله لیتوگرافی EUV، به خصوص از زمان معرفی فناوری‌های ساخت تراشه ۵ نانومتری و پس از آن ۳ نانومتری، فاصله خود را با رقبا افزایش داده است، اکنون، بر اساس گزارش رساانه تایوانی Economic Daily، نرخ بازده فرایند ۲ نانومتری TSMC از آستانه لازم برای تولید انبوه پایدار عبور کرده و این شرکت را با اختلاف قابل توجهی پیش انداخته است.

tsmc-2nm-yield-1.jpg

TSMC با نرخ بازده ۶۰ درصدی، پیشتاز بی‌رقیب

طبق این گزارش، نرخ بازده (Yield Rate) فرایند ۲ نانومتری TSMC در حال حاضر به ۶۰ درصد رسیده است. این رقم در دنیای تولید نیمه‌هادی‌ها یک نقطه عطف محسوب می‌شود و نشان می‌دهد که این فناوری برای تولید انبوه آماده است. به خصوص وقتی آن را با نرخ بازده حدود ۴۰ درصدی که برای فرایند مشابه سامسونگ تخمین زده می‌شود مقایسه گردد. همین برتری فنی باعث شده تا فرایند ۲ نانومتری TSMC به عنوان بهترین راهکار موجود در بازار شناخته شود و شرکت‌های بزرگی مانند اپل، انویدیا و AMD از هم‌اکنون برای رزرو خطوط تولید آن اقدام کنند.

AMD پیش از این رسماً اعلام کرده است که نسل بعدی پردازنده‌های سرور EPYC Venice از لیتوگرافی ۲ نانومتری TSMC بهره خواهد برد. این خبر اولین تأیید رسمی از سوی یکی از غول‌های صنعت برای استفاده از این فناوری پیشرفته است و نشان از اعتماد کامل به توانایی‌های TSMC دارد.

tsmc-2nm-yield-2.jpg

چالش‌های سامسونگ و اینتل در رقابت با TSMC

در سوی دیگر میدان، سامسونگ قرار دارد که با وجود پیشگامی در استفاده از ترانزیستورهای GAA ، هنوز نتوانسته مشتری بزرگی برای فرایندهای مبتنی بر آن دست و پا کند. در این میان اینتل نیز فرایند ساخت 18A را با سر و صدای فراوان معرفی کرده است اما هنوز نتوانسته مشتری بزرگی برای آن پیدا کند.

در حال حاضر، کاملاً واضح است که TSMC با اختلاف زیاد پیشتاز صنعت نیمه‌هادی است و به نظر می‌رسد این برتری در آینده نزدیک نیز حفظ خواهد شد.

source

توسط siahnet.ir