شرکت SK Hynix اعلام کرده که تولید نسل جدیدی از حافظه‌های DRAM موبایلی را آغاز کرده که به لطف مواد جدید، رسانایی حرارتی در آن تا 3.5 برابر بهتر شده است. این نوآوری می‌تواند مشکل داغ شدن بیش از حد گوشی‌های هوشمند را به طور قابل توجهی کاهش دهد.
حل مشکل داغ شدن موبایل‌ها؟
شرکت SK Hynix ادعا می‌کند که فناوری بسته بندی جدید آن‌ها می‌تواند مشکل داغ شدن گوشی‌ها را به طرز چشمگیری کمتر کند. این حافظه‌ها از ترکیب خاصی به نام High-K Epoxy Molding Compound استفاده می‌کنند که به گفته شرکت، رسانایی حرارتی را تا 3.5 درصد افزایش می‌دهند.
موضوع این است که در طراحی بسیاری از گوشی‌های هوشمند، حافظه DRAM دقیقا چیپ اصلی پردازنده قرار می‌گیرد تا داده‌ها با سرعت بیشتری منتقل شوند. اما مشکل اینجاست که این طراحی باعث می‌شود در پردازش‌های سنگین مانند اجرای بازی‌ها، برنامه‌های سنگین یا وظایف مرتبط با هوش مصنوعی، گرمای زیادی در یک نقطه متمرکز شود و عملکرد دستگاه افت کند.
حالا در این بین SK Hynix با استفاده از ترکیب خاصی از آلومینا و سیلیکا در بسته بندی حافظه، موفق شده مقاومت حرارتی در مسیر عمودی انتقال گرما را تا 47 درصد کمتر کند، این یعنی چه؟ یعنی گرما با سرعت خیلی بهتری از سطح حافظه به بیرون منتقل می‌شود و در نتیجه گوشی کمتر داغ می‌کند.
در همین رابطه بخوانید:
– حرکت InnoDisk به‌سوی آینده؛ رم‌های DDR5-12800 با پهنای باندی بی‌سابقه در راه‌اند
– اولین گام جدی به‌سوی DRAM سه‌بعدی واقعی؛ به عصر حافظه‌های 120 طبقه خوش آمدید
در نتیجه گوشی‌هایی که از این نوع DRAM استفاده می‌کنند، عملکرد پایدارتری دارند، دیرتر داغ می‌کنند و باتری بیشتری هم نگه می‌دارند. به گفته لی گیو جی مدیر توسعه محصولات بسته بندی SK hynix، این دستاورد می‌تواند نسل بعدی گوشی‌های پرچمدار را به سمت و سوی جدیدی ببرد و آینده آن‌ها را کاملا متحول کند.
با این حال هنوز به صورت رسمی مشخص نشده که کدام برند یا گوشی هوشمند قرار است از این نوع حافظه استفاده کنند، اما انتظار داریم اولین مدل‌ها در سال 2026 وارد بازار شوند. در بازاری که رقابت برای اجرای هوش مصنوعی روی گوشی‌ها بیشتر از همیشه است، این فناوری می‌تواند برگ برنده بزرگی برای Sk Hynix و البته گوشی‌هایی باشد که از آن استفاده می‌کنند.
source