تحول در صنعت الکترونیک با این جایگزین برای ترانزیستورهای سیلیکونی

پژوهشگران دانشگاه MIT نسل جدیدی از ترانزیستورها را ایجاد کرده‌اند که می‌توانند محدودیت‌های مرتبط با ترانزیستورهای سیلیکونی را به فراموش بسپارند. این دستاورد ضمن حفظ قابلیت‌های ترانزیستورهای فعلی، افزایش بهره‌وری همراه با مصرف انرژی کم‌تر را ارائه می‌کند.

ترانزیستورهای سیلیکونی با محدودیت‌هایی همچون مصرف انرژی بالا و محدودیت فیزیکی در کوچک‌سازی هرچه بیشتر مواجه شده‌اند. بر همین اساس، دانشمندان به دنبال یک گزینه مقرون به صرفه و دارای عملکردی مشابه هستند تا هرچه سریع‌تر صنعت الکترونیک را دگرگون کنند.

در این راستا محققان MIT در یک گام چشمگیر به سمت دستگاه‌های الکترونیکی نسل جدید با مصرف کم‌تر انرژی، نوعی جدید از ترانزیستور را ایجاد کرده‌اند که محدودیت‌های مرتبط با انرژی در ترانزیستورهای سیلیکونی را کنار می‌زند.

در همین رابطه بخوانید:

– ماسفت چیست؟ آشنایی با انواع، عملکرد و کاربرد ترانزیستور MOSFET

به گزارش Hoodline، این دستاورد جدید که با نام ترانزیستور سه‌بعدی (three-dimensional transistor) معرفی شده، از مواد نیمه‌هادی فوق نازک تولید می‌شود. به گفته پژوهشگران، این نوع ترانزیستور توانایی کار با ولتاژهای بسیار پایین‌تر را داشته و عملکرد مشابهی با همتایان سیلیکونی خود ارائه می‌دهند؛ بنابر این به طور بالقوه می‌تواند یک جایگزین برای ترانزیستورهای سیلیکونی در صنعت الکترونیکی باشد.

کاهش چشم‌گیر مصرف انرژی با ترانزیستور سه‌بعدی

یانجی شیائو (Yanjie Shao)، محقق ارشد در این تحقیقات به یکی از مزیت‌های کلیدی فناوری جدید ترانزیستور سه‌بعدی اشاره کرده است. به گفته وی:

این فناوری پتانسیل جایگزینی سیلیکون‌ را دارد، بنابر این شما می‌توانید از آن با تمام عملکردهای ترانزیستورهای سیلیکونی فعلی استفاده کنید. البته بهره‌وری انرژی در این مدل جدید بسیار بهتر است.

برای رسیدن به این دستاورد، در ساخت ترانزیستورهای سه‌بعدی از موادی خاصی مانند گالیم، آنتیمونید و ایندیوم آرسنید استفاده شده و به لطف فناوری جذابی به نام تونل کوانتومی، محدودیت‌های سیلیکون برطرف می‌شود.

علاوه بر این، طراحی سه‌بعدی این نوع ترانزیستور امکان کنترل دقیق‌تر جریان الکترون‌ها و افزایش کارایی را ارائه خواهد کرد.

نظر شما در رابطه با این دستاورد چیست؟ آیا به زودی شاهد تغییر در صنعت الکترونیک هستیم؟