تیمی از پژوهشگران در دانشگاه فودان شانگهای موفق شدهاند حافظهای نوین توسعه دهند که میتواند تنها در ۴۰۰ پیکوثانیه دادهها را ذخیره کند که به مراتب سریعتر از فناوریهای کنونی است. جزئیات حیرت انگیز را در ادامه خبر بخوانید.
این حافظه که «PoX» (مخفف Phase-change Oxide) نام گرفته، نوعی حافظه غیرفرار است؛ یعنی برخلاف حافظههای RAM، اطلاعات آن پس از قطع برق نیز باقی میماند. نکته خارقالعاده، سرعتی است که این حافظه با آن دادهها را مینویسد. این فناوری برای نوشتن دادهها تنها به یکهزارم نانوثانیه، یا بهعبارتی یک تریلیونام ثانیه زمان نیاز دارد.
راهحلی نوین برای چالشی قدیمی
در حالیکه حافظههای کلاسیک مانند DRAM یا SRAM میتوانند در بازهای میان ۱ تا ۱۰ نانوثانیه اطلاعات را ذخیره کنند، پس از قطع برق، دادهها از بین میروند. در طرف مقابل، حافظههای فلش (نظیر آنچه در SSDها یا فلشمموریها استفاده میشود ) دادهها را بدون برق هم نگه میدارند اما بهمراتب کندتر هستند و با سرعتهایی در حد میکروثانیه تا میلیثانیه کار میکنند.
این تفاوت سرعت موجب شده سیستمهای هوش مصنوعی، که به حجم بالایی از خوانش و نوشتن لحظهای نیاز دارند، در مواجهه با محدودیتهای فناوریهای حافظه فعلی دچار مشکلاتی از جمله تأخیر و مصرف انرژی بالا شوند.
پروفسور «ژو پنگ» و تیمش در دانشگاه فودان برای دستیابی به یک جهش اساسی، ساختار حافظه فلش را بهطور کامل بازطراحی کردند. آنها بهجای سیلیکون مرسوم، از گرافن دیراک دوبُعدی استفاده کردند؛ مادهای که بهدلیل رسانایی بینظیر خود شناخته شده است.
با تنظیم دقیق طول کانال حافظه، آنها پدیدهای موسوم به 2D Super-Injection را بهوجود آوردند؛ پدیدهای که امکان تزریق سریع و تقریباً نامحدود بار الکتریکی به لایه ذخیرهساز را فراهم میکند. این تکنیک، بسیاری از موانع فیزیکی حافظههای فلش رایج را دور زده و راه را برای سرعتهای خارقالعاده هموار کرده است.
بنابر اعلام دکتر «لیو چونسن» از دانشگاه فودان، نسخهای کوچک و کاملاً کاربردی از این تراشه PoX هماکنون ساخته شده است. او افزود گام بعدی، ادغام این حافظه در گوشیها و کامپیوترها است. این اتفاق میتواند مشکلاتی مانند کندی و داغشدن دستگاهها را که ناشی از محدودیت حافظههای فعلی است، برای همیشه حل کند.
همزمان، تیم تحقیقاتی در حال همکاری نزدیک با صنعت برای انتقال این فناوری به مرحله تولید انبوه است. نتایج اولیه نیز بسیار امیدوارکننده گزارش شدهاند.
source