شرکت ژاپنی Rapidus امروز اعلام کرد که فرآیند نمونه‌سازی تراشه‌ها با استفاده از فناوری دو نانومتری را با موفقیت آغاز کرده است. Rapidus که در تولید این تراشه‌ها از معماری Gate-All-Around یا GAA استفاده می‌کند تایید کرده است که در حال حاضر ویفرها و تراشه‌های تولید شده، ویژگیها و قابلیت‌های الکتریکی مورد انتظار را در اختیار دارند و به این ترتیب توسعه فناوری پردازشی این شرکت به درستی در حال پیشرفت است.
سامسونگ و TSMC در حال حاضر تنها شرکت‌های فعالی هستند توسعه خطوط تولید تراشه با استفاده از فناوری دو نانومتری را دنبال می‌کنند. اما به نظر می‌رسد یک شرکت دیگر نیز در تلاش است تا به آنها بپیوندد و بزودی کار تولید ویفرها و تراشه‌ها را با این فناوری عالی آغاز کند. شرکت ژاپنی Rapidus اخیراً وارد مرحله تولید آزمایشی ویفرهای دو نانومتری با معماری GAA شده و طبق جدیدترین اطلاعات، کارخانه‌ای در اختیار دارد که در آن 200 دستگاه تولید پیشرفته تراشه نصب شده است.
براساس گزارش Tomshardware، این شرکت امروز اعلام کرد که توانسته است با موفقیت کار تولید نمونه‌های آزمایشی از تراشه‌های دو نانومتری را در تاسیسات IIM-1 خود در ژاپن آغاز کند. بررسی‌های صورت گرفته روی این نمونه‌های اولیه نشان می‌دهد که آنها از ویژگیها و قابلیت‌های موردنیاز برخوردار هستند و مراحل توسعه فناوری دو نانومتری تولید تراشه به خوبی در شرکت Rapidus در حال انجام است. نمونه‌سازی مرحله‌ای مهم در تولید محصولات نیمه رسانا محسوب می‌شود که در آن بررسی می‌شود که آیا مدارهای آزمایشی اولیه که با استفاده از یک فناوری جدید ساخته شده‌اند، به درستی عمل می‌کنند و اهداف موردنظر را برآورده کرده‌اند یا خیر.
طبق گزارش‌های منتشر شده، در حال حاضر شرکت Rapidus مشغول بررسی و اندازه‌گیری ویژگی‌های الکتریکی مدارهای آزمایشی خود است. این اندازه‌گیری‌ها شامل پارامترهایی مانند ولتاژ آستانه یا مقدار ولتاژی که در آن ترانزیستور شروع به هدایت جریان می‌کند، جریان درایو یا میزان جریانی که ترانزیستور هنگام روشن بودن عبور می‌دهد، جریان نشتی یا جریان ناخواسته‌ای که هنگام خاموش بودن ترانزیستور عبور می‌کند و شیب زیرآستانه یا میزانی که ترانزیستور با آن از حالت خاموش به روشن تغییر وضعیت می‌دهد می‌شود. از دیگر ویژگی‌های مهم در حال اندازه‌گیری می‌توان به سرعت سوئیچینگ، مصرف انرژی و ظرفیت خازنی اشاره کرد.
اگرچه ممکن است Rapidus هیچگاه نتایج این آزمایش‌ها و اندازه‌گیری‌های خود را به صورت عمومی منتشر نکند و به صورت دقیق نتوان از میزان موفقیت آن در تولید این تراشه‌ها آگاهی پیدا کرد؛ اما بازهم تولید نمونه اولیه از این محصولات در شرکتی ژاپنی خبری مهم و قابل توجه به نظر می‌رسد. باید گفتRapidus تحت تاثیر محدودیت‌های صادراتی آمریکا قرار نمی‌گیرد و به همین دلیل احتمالاً به پیشرفته‌ترین تجهیزات موردنیاز برای تولید انبوه ویفرهای دو نانومتری GAA دسترسی خواهد داشت.
گفته می‌شود این شرکت ژاپنی توانسته است به فناوری پردازش تک‌ویفری یا Single-Wafer Front-End Processing دست پیدا کند. با استفاده از این فناوری می‌توان تغییرات موردنیاز را تنها روی یک ویفر اعمال کرد و آن را به بقیه آنها انتقال داد. با استفاده از این روش صرفه‌جویی میلیون دلاری در هزینه‌های تولید صورت می‌گیرد. این فناوری همچنین استفاده از فناوری هوش مصنوعی را در مراحل تولید این تراشه‌ها ممکن می‌کند که مطمئناً در ارتقای عملکرد و بازدهی خطوط تولید نقش ویژه‌ای ایفا می‌کند.
در همین رابطه بخوانید:
– تراشه ۲ نانومتری ژاپن سال 2027 از راه می‌رسد؛ گوگل و اپل در صف مشتریان Rapidus
– تولید آزمایشی تراشه‌های 2 نانومتری Rapidus تا بهار آینده؛ آیا ژاپن می‌تواند به رقیب جدی TSMC تبدیل شود؟
– سریع‌تر و ارزان‌تر از TSMC؛ خیز ژاپنی‌ها برای تولید تراشه 2 نانومتری با کمک ربات و هوش مصنوعی
نکته قابل توجه این است که Rapidus طی تنها چند سال فعالیت به این سطح از توانایی و عملکرد رسیده است. این شرکت در سپتامبر 2023 وارد حوزه تولید نیمه‌رساناهای پیشرفته شد، در سال 2024 ساخت اتاق تمیز خود را تکمیل کرد و در ژوئن 2025 موفق به نصب 200 واحد از پیشرفته‌ترین تجهیزات تولید ویفر در جهان شد. گفته می‌شود این شرکت هم اکنون به پیشرفته‌ترین تجهیزات لیتوگرافی DUV و EUV دسترسی دارد.
Rapidus همچنین در حال توسعه یک کیت توسعه فرایند یا PDK برای فناوری دو نانومتری خود است که قرار است آن را در سه ماهه اول سال آینده میلادی در اختیار مشتریان قرار دهد. این مشتریان بلافاصله می‌توانند نمونه‌سازی اولیه محصولات خود را آغاز کنند تا Rapidus بتواند در سال 2027 وارد فاز تولید انبوه این تراشه‌ها شود. هرچند این شرکت ژاپنی کمی دیرتر از سامسونگ و TSMC وارد عرصه تولید تراشه‌های دو نانومتری شده است اما به نظر می‌رسد به سرعت توانسته است این تاخیر را جبران کند.
source