جهش بزرگ SMIC: آیا بازدهی فرایند ۵ نانومتری تراشه‌ساز چینی به سامسونگ رسیده است؟

پس از شگفتی‌سازی با تراشه ۷ نانومتری Kirin 9000S، حالا شایعاتی از موفقیت بزرگ‌تر SMIC حکایت دارند. منابع چینی مدعی بازده ۶۰ تا ۷۰ درصدی در فرایند ۵ نانومتری این شرکت هستند؛ رکوردی که می‌تواند موازنه قدرت را در صنعت نیمه‌هادی‌ها تغییر دهد، اما کارشناسان تردید دارند.

عرضه تراشه Kirin 9000S که با فرایند ۷ نانومتری شرکت SMIC تولید شده بود، شوک بزرگی به صنعت نیمه‌هادی‌ها وارد کرد و نشان داد که چین برای کاهش شکاف فناوری با ایالات متحده کاملاً مصمم است. سال گذشته نیز گزارش شد که SMIC با موفقیت فرایند ۵ نانومتری خود را توسعه داده است. اکنون، یک افشاگر ادعا می‌کند که بازده تولید این شرکت در فرایند ۵ نانومتری به محدوده ۶۰ تا ۷۰ درصد رسیده است.

این خبر که نخستین بار توسط یک افشاگر چینی با نام «Fixed Focus Digital» در شبکه اجتماعی Weibo منتشر شد، اشاره دارد که چین می‌تواند سرانجام وارد مرحله جدیدی از تولید ویفر شود. او همچنین ادعا می‌کند که این میزان بازده، تقریباً مشابه بازده فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ است که برای تولید تراشه‌هایی مانند Exynos 2500 استفاده می‌شود. با این حال، همه کارشناسان با این ادعاهای هیجان‌انگیز موافق نیستند و برخی آن را کاملاً رد می‌کنند.

ادعای بازدهی هم‌تراز با فناوری ۳ نانومتری سامسونگ

به گزارش WCCFtech، منابع آگاه چینی ادعای «Fixed Focus Digital» را ساختگی خوانده ‌اند. گزارش‌های پیشین حکایت از آن داشت که SMIC قصد دارد توسعه تراشه‌های ۵ نانومتری خود را تا سال ۲۰۲۵ تکمیل کند، اما هزینه‌های تولید آن به دلیل استفاده از تجهیزات قدیمی‌تر DUV به جای دستگاه‌های لیتوگرافی EUV، حدود ۵۰ درصد بیشتر خواهد بود.

استفاده از لیتوگرافی EUV برای تولید انبوه تراشه‌های ۵ نانومتری و پایین‌تر ضروری است. به همین دلیل، پیش‌بینی قبلی در مورد هزینه بالای تولید با تجهیزات DUV، تردیدها نسبت به شایعه جدید را افزایش می‌دهد.

اعدادی که برای واقعی بودن بیش از حد خوب هستند

با توجه به زمان‌بندی اعلام‌شده برای تکمیل فرایند ۵ نانومتری SMIC، مخالفت با این شایعه چندان غافلگیرکننده نیست. جدیدترین محصولات هوآوی مانند لپ‌تاپ‌های مجهز به تراشه X90، همچنان از فرایند ۷ نانومتری SMIC استفاده می‌کنند. از آنجایی که بازده ۷۰ درصدی از نظر تجاری برای تولید انبوه کاملاً قابل قبول است، اینکه تراشه‌های ۵ نانومتری SMIC هنوز در محصولات تجاری شرکت‌های چینی دیده نشده‌ است، نشان می‌دهد باید به ادعای اخیر با دیده تردید نگریست.

طبق گزارش‌های قبلی،‌شرکت چینی SiCarrier در حال آزمایش دستگاه‌های EUV بومی است و انتظار می‌رود تولید آزمایشی با این ماشین‌آلات در سه‌ماهه سوم سال ۲۰۲۵ آغاز شود.

شرکت SiCarrier که ارتباط نزدیکی با هوآوی دارد، با جذب سرمایه ۲.۸ میلیارد دلاری، قصد دارد با شرکت هلندی ASML در زمینه تولید دستگاه‌های لیتوگرافی رقابت کند. بنابراین، حتی اگر SMIC فعلاً در تولید انبوه تراشه‌های ۵ نانومتری با محدودیت مواجه باشد، می‌تواند در آینده روی تجهیزات شرکت‌های دیگر حساب باز کند.